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產品詳細信息
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 符合RoHS 詳細信息
商標: Infineon Technologies
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.5 V
在25 C的連續集電極電流: 210 A
柵極—射極漏泄電流: 320 nA
最大工作溫度: + 150 C
封裝 / 箱體: Half Bridge2
柵極/發射極最大電壓: 20 V
最小工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
Pd-功率耗散: 1.25 kW
工廠包裝數量: 10

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